清华大学材料科学与工程研究院《材料科学论坛》

学术报告

报告题目：Growth and properties of high-quality single crystals: From the wide bandgap semiconductor to high-temperature superconductors

报告人：王刚 (中国科学院物理研究所)

报告时间：2018年11月28日（周三）上午10:00

报告地点：清华大学逸夫技术科学楼A205报告厅

联系人：沈洋老师 62794855

欢迎广大师生踊跃参加！

报告摘要：
Single crystals not only allow for access to the intrinsic properties of materials to a much higher extent compared to polycrystals and directly reflect the anisotropy of these properties, but also have found increasing applications in modern technology in recent decades. Here I demonstrate the advantages of high-quality single crystal using two examples. One is the silicon carbide single-crystal growth started from scratch and the novel properties of silicon carbide unraveled based on the high-quality crystals. The other is the discovery of high-temperature superconducting family AxFe2Se2 (A = K, Li, Na, Ca, Sr, Ba, Eu, and Yb).

报告人简介：
王刚，中科院物理研究所研究员，博导，于2001年和2004年在兰州大学分别获得学士和硕士学位，2007年在中科院物理所获得博士学位。博士毕业后分别在瑞典和美国做博士后，2009年回到中科院物理所工作，2016-2017年曾在美国Ames实验室访问。主要从事无机电磁功能材料探索、晶体生长与物性研究，在碳化硅晶体生长与物性、新超导体等材料探索方面取得了多项创新性成果，在PRL、JACS、AM等学术期刊发表SCI论文69篇。2013年获得国家自然科学基金委优秀青年科学基金支持。